hyfet

  1. NewsMaker

    Новости Скорость GaN и мощность SiC: экспериментальный супертранзистор обещает революцию в сфере зарядных устройств

    Новаторский подход позволил эффективно объединить несочетаемые ранее материалы. Инженеры из Гонконгского университета науки и технологий в сотрудничестве с тремя другими китайскими научными институтами разработали новый тип транзистора на основе двух передовых полупроводниковых материалов...